摘要
cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8%的BN薄膜;分析了H2在CVD生长cBN中的影响.
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
2000年第z2期633-636,共4页
Journal of Materials Science and Engineering
基金
国家自然科学基金,北京市自然科学基金,北京市科技新星计划和北京市科技骨干培养基金资助项目