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SnO_2∶Sb气敏薄膜的最佳掺杂含量的理论计算

The Theoretical Calculation of Optimum Doping Content for SnO_2∶Sb Gas Sensor Films
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摘要 本文介绍一个最佳掺杂含量表达式 ,应用此表达式定量计算了 Sn O2 ∶ Sb气敏薄膜的最佳掺杂含量 ,定量计算的结果与实验数据十分符合。 Analysis of experimental antimony doped stannic oxide gas sensor films with various doping levels is presented. The relationship among the physical property, crystal structure, preparation method and doping content is established to be a parabola equation. The extreme value of this equation determines the optimum doping content. The optimum doping content of antimony doped stannic oxide films determines by this quantitative method agrees with the experimental results.
出处 《传感技术学报》 CAS CSCD 2002年第4期315-317,共3页 Chinese Journal of Sensors and Actuators
关键词 气敏元件 晶体结构 制备方法 最佳掺杂含量 理论计算 gas sensors crystal structure preparation method optimum doping content theoretical calculation
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