摘要
在充分考虑激光源于放大自发辐射、而自发辐射可能产生于半导体激光器(LD)有源层中的各点等物理事实的基础上,我们采用射线法、以递推公式的形式导出院多段式半导体激光器的输出谱的解析表达式,并对某些常见的情况进行了简单扼要地讨论。
: Taking into account the facts that the laser radiation is developed from the amplified spontaneous emission ASE and the ASE may be generated at any point of the active layer of the semiconductor laserLD, the ray trace method has been used to derive the expression of the output spectrum from a multi segmeneted seiconductor laser. In addition, brief descriptions have been given to cases often encountered.
出处
《哈尔滨商业大学学报(自然科学版)》
CAS
2001年第2期44-47,共4页
Journal of Harbin University of Commerce:Natural Sciences Edition
基金
黑龙江省普通高校骨干教师创新能力资助项目
哈尔滨市科学研究基金项目。
关键词
多段式半导体激光器
输出谱
射线法
: multi segmented semiconductor laser; output spectrum; ray trace method