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富士通研究所的GaN功率器件发展计划

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摘要据《NIKKEI MicroDevices》2009年第8期报道,日本富士通研究所制定了一个称为"应用于电源达到实用水平的性能"的计划,开发GaN基HEMT功率器件。以HEMT为研发基础,争取在2011年下半年达到实用化水平。

作者孙再吉

出处《半导体信息》 2009年第6期21-,共1页 Semiconductor Information

关键词功率器件 GAN 富士通研究所

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

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半导体信息

2009年第6期

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