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东芝开发出用于EUV曝光的低分子光刻胶分辨率达到22nm

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摘要东芝开发出了用于EUV(Extreme Ultraviolet)曝光的负型低分子光刻胶(Resist),并公布了对线宽/线间隔(L/S)为22 nm的图案进行解像的成果。在低分子类光刻胶弱项的刻线边缘粗糙度(Line Edge Roughness,LER)

作者章从福

出处《半导体信息》 2009年第6期27-28,共2页 Semiconductor Information

关键词 NM 图案低分子光刻胶光致抗蚀剂辅料 EUV

分类号 F416.63 [经济管理—产业经济]

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2009年第6期

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