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半导体器件高功率微波毁伤阈值实验
Semiconductor's High-Power Microwave Threshold of Destruction Experiment
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摘要
本文研究用实验方法测定半导体器件在高功率微波(HPM)照射下的毁伤阈值。介绍了实验系统的结构、原理,分析了如何用数值方法确定半导体器件所吸收的微波功率,对实验数据进行了分析。
作者
刘亿亮
李立萍
杨晓波
机构地区
电子科技大学
出处
《实验科学与技术》
2004年第3期7-9,16,共4页
Experiment Science and Technology
关键词
高功率微波
毁伤阈值
电磁场计算
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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实验科学与技术
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