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0.4～0.25μm时代光刻技术

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摘要 1前言近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着,现状是:丝毫未感到开发进度在放缓.

作者章诚

出处《电子与封装》 2002年第5期43-46,共4页 Electronics & Packaging

关键词光刻技术正性光刻胶光学曝光掩模制作光刻胶材料

分类号 TN305.94 [电子电信—物理电子学]

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电子与封装

2002年第5期

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