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0.4～0.25μm时代的电极布线形成技术

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摘要　　1前言　　关于LSI的高密度化,现以DRAM为例来说,则是从16M开始至64M出厂样品.对于逻辑电路来说,0.5μm级的产品化正在开始. 　　……

作者益民

出处《电子与封装》 2002年第5期61-64,共4页 Electronics & Packaging

关键词布线技术 CVD 溅射真空沉积连接器插塞粘附层接触电阻叠层结构金属界面

分类号 TN305.94 [电子电信—物理电子学]

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电子与封装

2002年第5期

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