摘要
直拉法生长的空间太阳能电池用锗单晶中位错密度的影响因素有:籽晶中位错延伸对晶体中位错密度的影响;温度梯度对位错密度的影响;固液界面形状对位错密度的影响;机械因素对位错密度的影响。通过dash技术排除籽晶中位错的影响;通过调整晶体所处的热场(改变埚位和保温筒高度)、改变熔体中轴向负温度梯度的状况(增加坩埚杆的保温效果和开双加热器)和通过设计出轴向温度梯度为线性温度梯度径向温度梯度较小的热场来减小温度梯度对位错密度的影响;通过调整固液界面形状(改变拉速、埚转和晶转)来改善由于固液界面形状不佳带来的位错增值现象。通过上述措施可以基本消除单晶中位错排、位错堆以及小角晶界,得到低位错密度的单晶。
The factors that affected dislocation density of single crystal which used to produce space solar battery of Czochralski method included: dislocation extension in the seed crystal,temperature gradient,solid-liquid interface shape and mechanism factors.The effect of dislocation in the seed crystal was eliminated by dash technology.The influence of temperature gradient on dislocation density was reduced through changing the state of negative temperature gradient(enhance the insulation of crucible pole and use...
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期726-730,共5页
Chinese Journal of Rare Metals
基金
国防科工委科研基金资助项目(MKPT-2004-48ZD)
关键词
锗单晶
低位错密度
太阳能电池
温度梯度
germanium monocrystal
low dislocation density
solar cells
temperature gradient
