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电子辐照氟化钡晶体位移损伤的计算
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摘要
概述电子辐照对氟化钡晶体位移损伤的机理,讨论电子对氟化钡晶体位移损伤的理论计算方法。具体计算出能量为1.5MeV和1.8MeV电子辐照氟化钡晶体的位移损伤,对计算结果进行讨论,并与实验得到的吸收谱进行比较,理论计算结果与实验结果符合得很好。
作者
杨菁菁
张晋
机构地区
杭州电子科技大学理学院
云南大学物理系
出处
《广西物理》
2009年第3期35-37,共3页
Guangxi Physics
关键词
氟化钡晶体
电子辐照
位移损伤
分类号
O481.4 [理学—固体物理]
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