金属硬掩膜打开工艺中的CD偏差负载控制

本文系统地研究了密集线条和孤立线条间CD(关键尺寸)刻蚀偏差参数对金属硬掩膜(MHM)刻蚀工艺的影响,涉及的范围有化学气体、源功率、压力、偏差功率以及ESC温度。特别是,如果正确地应用基于CH4的等离子固化光刻胶掩膜,发现它具有控制密集和ISO CD负载的特殊能力,且同时保持准确的密集CD。而且,在基于Cl2和基于HBr的BARC打开步骤之间,还看到刻蚀化学气体对CD负载的有重大影响。此外,也发现M-HM的应力和刻蚀后剖面影响CD负载性能。根据这些发现,成功地展示了改善钨触点和铜沟槽之间电气互连的解决方法。