关于场致发射的电像力效应

在Ｗ·Ｋ·Ｂ近似下，采用量子理论的位垒穿透研究场致发射的穿透系数和电流密度由于电像力对位垒穿透有重要影响，本文采用一种巧妙的构思方法，借助椭圆积分变换方法，并考虑温度因素在场致效应中的影响，正确解决肖脱基场致发射的电流密度与实验值相差较大的问题结果表明：电像力效应对场致发射电流密度提高两个数量级，温度因素使电流密度增加约１０／３倍。