多晶硅薄膜内应力的SEM测定法

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摘要多晶硅膜内应力的存在影响传感器的性能.本文介绍了内应力的SEM测定法和减小应力的途径.1 多晶硅微结构多晶硅膜采用LPCVD方法淀积,淀积温度为650℃,低压约为133Pa,微结构如图1所示.改变多晶硅微结构的长、宽及膜的厚度,得到不同的微结构.供SEM观察用,具体尺寸见表1.

作者王云珍石艳泠万培明

机构地区华东师范大学电子科学技术系

出处《传感技术学报》 CAS CSCD 1993年第3期54-56,共3页 Chinese Journal of Sensors and Actuators

关键词多晶硅薄膜 SEM 测定法

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传感技术学报

1993年第3期

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