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InP/GaAs键合热应力的有限元分析 被引量：3

Analysis of Thermal Stress in InP/GaAs Bonding by Finite Element Method
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摘要 　用有限元方法结合ANSYS工具,研究了InP/GaAs键合在退火后的热应力分布图像。重点计算并详细讨论了对解键合有重要作用的界面上的剥离力和剪切力。最后分析了影响热应力大小的有关因素。数值分析结果与相关文献实验结果一致。 Thermal stress distribution in wafer bonding of InP/GaAs after annealing is investigated by combining finite element method(FEM) with the ANSYS program. Interficial peeling and shear stresses which play an important role in debonding are calculated and discussed in detail. Finally, the related factors influencing on thermal stress are analyzed. Numerical results agree with experimental ones presented by some references.
作者 陈斌 周震 黄永清 任晓敏
机构地区 北京邮电大学光通信中心
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期277-280,共4页 Semiconductor Optoelectronics
基金 国家自然科学基金重点项目(90201035) 国家自然科学基金重大研究计划项目 (90 1 0 40 0 3 )
关键词 键合 有限元方法 热应力 wafer bonding finite element method thermal stress
分类号 TN305.93 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献6

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同被引文献17

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引证文献3

二级引证文献9

半导体光电
2004年 第4期

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