先栅和替代栅方案中的高k/金属栅堆叠

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摘要以先栅和替代栅二种集成方案制造了有代表性的高k/金属栅MOS电容堆叠。除了TiN金属栅外,基于铝和镧的覆盖层(二者均广泛在产业中用于Vt调整覆盖层)能分别调整PMOS和NMOS的有效功函数。改变TiN中Ti:N化学组分比能引起TiN功函数改变>250mV。在替代栅方案中筛选不同的功函数材料能获得NMOS和PMOS之间1V间隔。在铝生长过程中衬底的修正是在窄栅沟槽中获得无空洞铝间隙填充的关键。

作者 Sree Kesapragada Rongjun Wang Dave Liu Gaojun Liu Zhigang Xie Zhenbin Ge Haichun Yang Yu Lei Xinliang Lu Xianmin Tang Jianxin Lei Millen Allen Srinivas Gandikota Kevin Moraes Steven Hung Naomi Yoshida Chorng-Ping Chang

机构地区 Applied Materials Inc.

出处《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期128-130,共3页 Journal of Functional Materials and Devices

关键词金属栅 NMOS PMOS TI 功函数逸出功

分类号 TB34-55 [一般工业技术—材料科学与工程]

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