摘要
作为电阻、电容、电感之外的第4种基本电路元件,忆阻器自2008年被发现以来受到学术界和产业界的广泛关注.忆阻器的阻值记忆效应和纳米工艺制造方式使其被认为可用于构建未来更大容量和密度的存储器,逐渐替代FLASH等现有存储器件.除存储功能外,HP公司在2010年《Nature》上发表的文章表明,忆阻器还可以通过以蕴含为基础的状态逻辑实现任意逻辑运算.研究了忆阻器状态逻辑的另一种操作——与操作,提出了一种更加高效的与操作实现方法,该方法不需要增加额外的忆阻器,降低了激励电压的复杂性,减小了误差,使运算更加简便高效.最后通过SPICE模拟仿真对提出的方法进行了验证.
作为电阻、电容、电感之外的第4种基本电路元件,忆阻器自2008年被发现以来受到学术界和产业界的广泛关注.忆阻器的阻值记忆效应和纳米工艺制造方式使其被认为可用于构建未来更大容量和密度的存储器,逐渐替代FLASH等现有存储器件.除存储功能外,HP公司在2010年《Nature》上发表的文章表明,忆阻器还可以通过以蕴含为基础的状态逻辑实现任意逻辑运算.研究了忆阻器状态逻辑的另一种操作——与操作,提出了一种更加高效的与操作实现方法,该方法不需要增加额外的忆阻器,降低了激励电压的复杂性,减小了误差,使运算更加简便高效.最后通过SPICE模拟仿真对提出的方法进行了验证.
出处
《计算机研究与发展》
EI
CSCD
北大核心
2012年第S1期73-78,共6页
Journal of Computer Research and Development
基金
国家自然科学基金项目(60921062
61003082)
关键词
忆阻器
蕴含操作
与操作
状态逻辑
memristor
implication operation
AND operation
stateful logic
