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新型非易失相变存储器PCM应用研究 被引量：5

Application Research on New Non-Volatile Phase Change Memory PCM
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摘要 并行I/O技术有效优化了I/O性能,但对访问延迟却难以控制.相变存储器(phase change memory,PCM)作为一种SCM(storage class memory),具有非易失性、随机可读写、低延迟、高吞吐率、体积小和低功耗的特点,为I/O性能优化提供了最直接有效的途径.研究了PCM的特性与存在的问题,总结了目前PCM的应用研究进展,针对高性能计算中的并行I/O问题,提出了一种基于相变存储器PCM的层次式并行混合存储模型,能够有效提高并行文件系统元数据服务效率和并行I/O吞吐率. 并行I/O技术有效优化了I/O性能,但对访问延迟却难以控制.相变存储器(phase change memory,PCM)作为一种SCM(storage class memory),具有非易失性、随机可读写、低延迟、高吞吐率、体积小和低功耗的特点,为I/O性能优化提供了最直接有效的途径.研究了PCM的特性与存在的问题,总结了目前PCM的应用研究进展,针对高性能计算中的并行I/O问题,提出了一种基于相变存储器PCM的层次式并行混合存储模型,能够有效提高并行文件系统元数据服务效率和并行I/O吞吐率.
作者 刘金垒 李琼
机构地区 国防科学技术大学计算机学院
出处 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2012年第S1期90-93,共4页 Journal of Computer Research and Development
关键词 相变存储器 PCM SCM 层次式并行混合存储 phase change memory PCM SCM hierachical parallel hybrid storage
分类号 TP3 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
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引证文献5

二级引证文献85

计算机研究与发展
2012年 第S1期

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