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沉积速率对EBD制备Si基Sc薄膜结构及形貌的影响

Effect of Deposition Rates on Microstructure and Morphology of Sc Film Grown on Si Substrate Prepared by EBD
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摘要 运用电子束蒸发(EBD)镀在Si(111)底衬上沉积了金属Sc膜。在底衬温度为650℃时,研究沉积速率对Sc膜形貌与结构的影响。SEM及XRD分析结果表明:此方法制备的膜表面平整、致密;基底温度对Sc膜结构和表面形貌影响很大,在0.5～10nm/s范围内膜的表面形貌及微观结构以2nm/s为分界线可以分为两大类,低沉积速率时膜由唯一的(001)晶粒取向组成,而高沉积速率时膜的颗粒生长方向除了(001)外,还有很多其他的取向。 运用电子束蒸发(EBD)镀在Si(111)底衬上沉积了金属Sc膜。在底衬温度为650℃时,研究沉积速率对Sc膜形貌与结构的影响。SEM及XRD分析结果表明:此方法制备的膜表面平整、致密;基底温度对Sc膜结构和表面形貌影响很大,在0.5～10nm/s范围内膜的表面形貌及微观结构以2nm/s为分界线可以分为两大类,低沉积速率时膜由唯一的(001)晶粒取向组成,而高沉积速率时膜的颗粒生长方向除了(001)外,还有很多其他的取向。
作者 吴清英 罗顺忠 邴文增 刘锦华
机构地区 中国工程物理研究院
出处 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S2期236-238,共3页 Rare Metal Materials and Engineering
关键词 电子束蒸发 SC 沉积速率 表面形貌 结构 electron beam deposition Sc deposition rate surface morphology structure
分类号 TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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共引文献17

稀有金属材料与工程
2012年 第S2期

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