摘要
p-Si薄膜在氢氟酸溶液中的电化学抛光是通过阳极溶解降低薄膜表面粗糙度。本文用线性扫描研究了在不同的氢氟酸浓度下的电化学行为,发现随氢氟酸溶液浓度的增加阳极溶解速率也随之增加。当氢氟酸浓度为4%及6%时,可得到平整的表面。电化学抛光技术为制备光亮硅面提供了一种简单可行的方法。
p-Si薄膜在氢氟酸溶液中的电化学抛光是通过阳极溶解降低薄膜表面粗糙度。本文用线性扫描研究了在不同的氢氟酸浓度下的电化学行为,发现随氢氟酸溶液浓度的增加阳极溶解速率也随之增加。当氢氟酸浓度为4%及6%时,可得到平整的表面。电化学抛光技术为制备光亮硅面提供了一种简单可行的方法。
出处
《材料热处理学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第S1期27-29,共3页
Transactions of Materials and Heat Treatment
基金
江西省自然科学基金(2010GQC0108)
江西省青年科学家(井岗之星)培养对象(20112BCB23022)