期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

低温直接键合硅片亲水性及其键合效果评价 被引量：3

Hydrophilicity and Bonding Effect of Low Temperature Si/Si Direct Bonding Wafer
原文传递
导出
摘要 对硅片进行了不同条件及方式的清洗预处理,使硅片表面获得不同程度的亲水性,利用硅片表面的接触角等研究比较了不同清洗方式对硅片亲水性的影响,并采用红外透视仪及拉伸测试法对键合质量测试比较。试验结果表明RCA1的清洗处理对硅片表面亲水性提高程度较大,等离子体处理能够大幅提高硅片亲水性但要严格控制处理时长,试验结果为实现低温退火条件下的硅-硅直接键合提供了依据。 对硅片进行了不同条件及方式的清洗预处理,使硅片表面获得不同程度的亲水性,利用硅片表面的接触角等研究比较了不同清洗方式对硅片亲水性的影响,并采用红外透视仪及拉伸测试法对键合质量测试比较。试验结果表明RCA1的清洗处理对硅片表面亲水性提高程度较大,等离子体处理能够大幅提高硅片亲水性但要严格控制处理时长,试验结果为实现低温退火条件下的硅-硅直接键合提供了依据。
作者 何福林 滕霖 李川
机构地区 中航工业西安飞行自动控制研究所
出处 《航空精密制造技术》 2011年第3期40-43,共4页 Aviation Precision Manufacturing Technology
关键词 MEMS 亲水性 接触角 低温硅-硅键合 MEMS hydrophilicity contact angle low temperature silicon wafer bonding
分类号 V26 [航空宇航科学与技术—航空宇航制造工程]
  • 相关文献

参考文献9

  • 1林晓辉,廖广兰,史铁林,聂磊.硅片低温键合湿化学法表面活化工艺研究[J].传感技术学报,2006,19(05A):1384-1387. 被引量：5
  • 2陈新安,黄庆安,李伟华,刘肃.硅/硅直接键合的界面应力[J].微纳电子技术,2004,41(10):29-33. 被引量：6
  • 3韩伟华,余金中.低温键合技术[J].飞通光电子技术,2001,1(2):68-70. 被引量：2
  • 4CHOI W K,YU D,LEE C,et al.Development of LowTemperature Bonding Using In-Based Solders. 2008 Elec-tronic Components and Technology Conference . 2008
  • 5DOLL A,GOLDSCHMIDTBOEING F,WOIAS P.LowTemperature Plasma-Assisted Wafer Bonding and Bond-Inter-face Stress Characterization. . 2004
  • 6A.A. Ayon,X. Zhang,K. Turneret al.Low temperature silicon wafer bonding for MEMS applications. The Fifteenth IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems . 2002
  • 7Donato Pasquariello.Plasma Assited Low Temperature Semiconductor Wafer Bonding. ACTA UNIVERSITATIS UPSALIENSIS . 2001
  • 8H. Takagi,R. Maeda.Room temperature silicon wafer direct bonding in vacuum by Ar beam irradiation. Proceedings of the IEEE Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) . 1997
  • 9Tong Q Y,Cha G,Gafiteanu R,et al.Low temperature wafer direct bonding. Journal of Microbiology . 1994

二级参考文献29

  • 1詹娟,刘光廷.硅片键合界面的应力研究[J].传感技术学报,1994,7(3):26-29. 被引量：6
  • 2黄庆安,张会珍,陈军宁,童勤义.硅／硅直接键合应力的Raman谱研究[J].应用科学学报,1994,12(3):223-226. 被引量：2
  • 3[1]LASKY J B, STIFFER F R, WHITE F R, et al. Silicon-oninsulator by bonding and etch back [A] . Proc Int Electron Device Meeting [C] . USA: Washington, 1985. 684.
  • 4[2]TONG Q Y, GOSELE U. Semiconductor wafer bonding [M] .New York: John Wiley & Sons, 1998.
  • 5[5]JOHNSON K L. Theoretical and applied mechanics [M] .NorthHolland, Amsterdam, 1976.
  • 6[6]MASZARA W P, JIANG B L, YAMADA A, et al. Role of surface morphology in wafer bonding [J].J Appl Phys,1991, 69: 257.
  • 7[8]YU H H, SUO Z. A model of wafer bonding by elastic accommodation [J].J Mech Phys Solids, 1998, 46 (5): 829.
  • 8[9]STENGL R, MITANI K, LEHMANN V, et al. Silicon wafer bonding: chemistry, elasto-mechanics, and manufacturing [A] . Proceedings of IEEE SOS/SOI Technology conference [C] . 1989. 123.
  • 9[11]GUI C, ELWENSPOEK M, TAS N, et al. The effect of surface roughness on direct wafer bonding [J] . J Appl Phys,1991, 85 (10): 7448.
  • 10[12]SUHIR E. Stress in bi-metal thermostats [J].J Appl Mech,1986, 53: 657.

共引文献10

同被引文献24

引证文献3

二级引证文献2

航空精密制造技术
2011年 第3期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部