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5.6GHz CMOS低噪声放大器设计

Design of a CMOS Low Noise Amplifier at 5.6 GHz
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摘要 分析了一种射频COMS共源-共栅低噪声放大器的设计电路,采用TSMC 90nm低功耗工艺实现。仿真结果表明:在5.6GHz工作频率,电压增益约为18.5dB;噪声系数为1.78dB;增益1dB压缩点为-21.72dBm;输入参考三阶交调点为-11.75dBm。在1.2V直流电压下测得的功耗约为25mW。 分析了一种射频COMS共源-共栅低噪声放大器的设计电路,采用TSMC 90nm低功耗工艺实现。仿真结果表明:在5.6GHz工作频率,电压增益约为18.5dB;噪声系数为1.78dB;增益1dB压缩点为-21.72dBm;输入参考三阶交调点为-11.75dBm。在1.2V直流电压下测得的功耗约为25mW。
作者 曹冰冰
机构地区 安徽大学
出处 《电子技术（上海）》 2010年第1期74-75,共2页 Electronic Technology
关键词 互补金属氧化物半导体 低噪声放大器 噪声系数 线性度 CMOS low noise amplifier(LNA) noise figure linearity
分类号 TN01 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献3

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二级参考文献8

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共引文献6

电子技术（上海）
2010年 第1期

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