摘要
目的观察1450nm半导体激光治疗痤疮的疗效及安全性。方法应用1450nm半导体激光对72例痤疮患者进行治疗。治疗前在局部外涂复方利多卡因乳膏,15~20min后进行治疗,激光光斑直径为6mm,能量密度为9~12J/cm2,动态冷却(DCD)时间为22~26ms;每次间隔为2~3周。结果治疗3次后,总皮损和炎症性痤疮皮损分别减少52.8%与79.4%,随访6月后皮损继续减少,与治疗前相比,差异有统计学意义。术后局部可出现红斑和炎症后色素沉着,但无水疱形成和色素减退。结论1450nm半导体激光治疗炎症性痤疮安全而有效。
目的观察1450nm半导体激光治疗痤疮的疗效及安全性。方法应用1450nm半导体激光对72例痤疮患者进行治疗。治疗前在局部外涂复方利多卡因乳膏,15~20min后进行治疗,激光光斑直径为6mm,能量密度为9~12J/cm2,动态冷却(DCD)时间为22~26ms;每次间隔为2~3周。结果治疗3次后,总皮损和炎症性痤疮皮损分别减少52.8%与79.4%,随访6月后皮损继续减少,与治疗前相比,差异有统计学意义。术后局部可出现红斑和炎症后色素沉着,但无水疱形成和色素减退。结论1450nm半导体激光治疗炎症性痤疮安全而有效。
出处
《实用皮肤病学杂志》
2010年第1期32-34,共3页
Journal of Practical Dermatology
关键词
痤疮
激光
半导体
Acne
Laser
Semiconductor