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美研制出非二进制新型纳米存储器

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摘要据报道,美国宾夕法尼亚大学研究人员研制的一种以纳米线为基础的新型信息存储器件能存储"0"、"1"和"2"3位数值,不同于传统存储器件仅能存储"0"、"1"两位数值,这一创造可能催生新一代高性能信息存储器。

作者赵安中

出处《功能材料信息》 2008年第4期47-47,共1页 Functional Materials Information

关键词纳米线非二进制存储器件非晶态壳结构信息存储器研制成功研究人员新型低电阻

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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2008年第4期

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