THz量子级联激光器用材料的生长及器件制作

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摘要采用分子束外延法,生长了GaAs/Al_(0.17)Ga_(0.85)As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器,并按单面金属波导制备工艺制作了器件。材料的结构通过高分辨X射线衍射来确定。在温度为9～150K的范围内,测量了器件的Ⅰ—Ⅴ曲线。

作者韩英军黎华谭智勇曹俊诚

出处《功能材料信息》 2008年第1期25-26,共2页 Functional Materials Information

关键词太赫兹量子级联激光器分子束外延

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2008年第1期

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