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射频等离子体增强磁控溅射沉积Al_2O_3膜

Al_2O_3 films of RF plasma enhanced magnetron sputtering deposition
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摘要 采用射频等离子体增强磁控溅射同步沉积,在金属表面制备了Al2O3 膜.实验表明,采用本方法在工艺上是可行的,膜与基材结合性能好。 Al2O3 films have the good properties of resistance to high temperature, wear and corrosion. They have been achieved on the substrates by the RF plasma enhanced magnetron sputtering deposition. The experiment shows this technological process is practicable.
出处 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期644-646,650,共4页 Journal of Dalian University of Technology
基金 辽宁省科委资助项目
关键词 氧化铝 薄膜 磁控溅射沉积 high frequency discharge/Al2O3 films RF plasma plasma enhanced magnetron sputtering deposition
  • 相关文献

参考文献5

  • 1房德馨,金属的残余应力与振动处理技术,1990年
  • 2黄维平,1989年
  • 3李洪升,石油化工设备,1986年
  • 4王栓柱,金属疲劳,1985年
  • 5米谷茂,残余应力的产生和对策,1963年

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