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快闪存储器技术研究与进展
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摘要
快闪存储器是在八十年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和在系统的电可擦除性等优点,是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一支。本文首先对其工作机理进行了介绍,对Multi-Level技术、3-D结构单元、BBBHE编程技术和SONOS技术等新型技术进行了深入的探讨,并对国内外发展的现状和未来趋势等进行了阐述。
作者
潘立阳
朱钧
段志刚
伍冬
机构地区
清华大学微电子学研究所
出处
《中国集成电路》
2002年第11期40-45,共6页
China lntegrated Circuit
关键词
快闪存储器
半导体存储器
编程机制
存储单元
编程速度
叠栅结构
编程技术
不挥发性存储器
新型技术
单元结构
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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中国集成电路
2002年 第11期
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