摘要
在存储器制造过程中,利用激光修正技术,可将冗余存储单元置换不良存储单元,达到修复存储器芯片、提高良品率的目的。其工作原理主要是通过熔断指定的预置熔丝,开启或禁止各种控制门电路,实现冗余存储电路的置换。其工艺参数设定涉及圆片参数(如圆片尺寸、预对准方式等)、芯片参数(如芯片尺寸、对准方式等)、激光参数(如激光能量、切入方向等)、熔丝参数(如熔丝宽度、坐标位置等)、运行流程(切割作业程序、切割顺序程序等)等众多方面。本文首先将对激光修正原理及关键电路工作原理进行详细说明,然后以4M激光修正机实施64M改造进行特殊修正事件为例。说明激光修正技术中的主要技术要点,并显示改造后修正机进行实际修正的外观效果及不良修复效果。
出处
《中国集成电路》
2002年第9期80-84,共5页
China lntegrated Circuit