90nm器件将在2004年生产

在美国半导体工业发展蓝图的积极引导下,预计2004年底(甚至也可能在2003年)将生产半节距为90nm的DRAM及栅长为37nm的微处理器等高性能器件。但是这种加速所付出的代价是减少了各代器件之间验证新材料、新工艺、新产品的可靠性所需要的时间。其后果之一是:与较长的研究开发周期情况相比。