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半绝缘GaAs单晶材料发展现状
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摘要
一、前言 GaAs是目前工艺最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。它具有直接跃迁较大带隙、电子迁移率高、易于制成半绝缘单晶(其电阻率可达10~9Ωcm,是理想的微波传输介质,在IC加工中不必另外制作绝缘隔离层,既简化了IC加工过程又降低了寄生电容从而更有利于提高器件工作速度)等优良性能(表1)。
作者
邓志杰
郑安生
俞斌才
机构地区
北京有色金属研究总院国瑞电子材料有限责任公司
出处
《中国集成电路》
2002年第6期97-100,34,共5页
China lntegrated Circuit
关键词
单晶生产
材料发展现状
半绝缘
晶体生长
位错密度
电阻率
工艺
单晶生长技术
晶片
加工过程
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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中国集成电路
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