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首钢日电前工序工艺技术和未来发展

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摘要本文综述了亚微米、深亚微米集成电路工艺的主要特点、关键工艺及其实现方法,涉及高低压混载CMOS、DMOS、E^2PROM工艺。

作者叶建新饶祖刚陈则瑞关东红

机构地区首钢日电电子有限公司

出处《中国集成电路》 2002年第3期73-76,共4页 China lntegrated Circuit

关键词亚微米工艺工艺技术平坦化金属布线接触孔深亚微米技术升级高压器件氧化膜超大规模集成电路

分类号 F426.6 [经济管理—产业经济]

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中国集成电路

2002年第3期

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