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新型微波SiGe HBT集成电路研究概况
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摘要
本文扼要阐述了SiGe材料、SiGe HBT器件及电路的研究发展情况。展示了SiGe HBT的良好商业前景。对我所的SiGe技术发展水平作了简要介绍。
作者
黄文韬
刘志农
许军
刘志宏
刘荣华
张伟
钱佩信
机构地区
北京清华大学微电子研究所
出处
《中国集成电路》
2002年第10期22-23,61,共3页
China lntegrated Circuit
关键词
集成电路
功率器件
特征频率
掺杂浓度
功率放大器
网络处理器
低噪声
禁带宽度
能带剪裁
工艺
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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中国集成电路
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