一种CMOS/SOI八位A/D转换器

本文设计了一种8位A/D转换器,该转换器采用半闪烁型结构,由两个4位全并行A/D转换器实现8位转换,电路中的比较器用斩波稳零型结构,具有结构简单和失调补偿功能。研究了SOI CMOS电路的背栅偏置结构,电路制作工艺采用全耗尽CMOS/SOI工艺技术,电路芯片面积为3.5×3.7mm^2,转换速度为1MS/s,抗瞬时γ辐照水平为1×10^(11)rad(Si)/s,总剂量辐照水平为1×10~4rad(Si)。