半导体激光器

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摘要 TN248.4 2002020956MBE 生长 GaAlAs/GaAs 量子阱激光器材料的光谱和结构特性分析=Spectral and structure characteristicsof GaAlAs/GaAs quantum well laser materialsgrown by MBE[刊,中]/李梅,宋晓伟,王晓华,张宝顺。

出处《中国光学》 EI CAS 2002年第2期22-24,共3页 Chinese Optics

关键词阵列半导体激光器特性分析计算机与通信国家重点实验室半导体微腔激光器四川高功率半导体激光激光技术长春载流子密度

分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]

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