光电功能材料

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摘要 O472.3 2002021523InGaN/GaN 量子阱动力学特征分析=Study of kinet-ic property of a InGaN/GaN quantum well[刊,中]/刘志国,顾海涛,姚端臣(武汉大学物理科学与技术学院.湖北,武汉(430072))∥武汉大学学报.理学版.—2001,47(3).—327-330采用单量子阱近似模型,对 InGaN/GaN

出处《中国光学》 EI CAS 2002年第2期100-100,共1页 Chinese Optics

关键词单量子阱特征分析动力学武汉大学学报纳米晶近似模型光电功能材料物理科学相互作用多晶硅

分类号 O431.2 [机械工程—光学工程]

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1《武汉大学学报(理学版)》征稿启事[J].武汉大学学报（理学版）,2008,54(2).
2武汉大学学报(理学版)2010年第1～6期总目次[J].武汉大学学报（理学版）,2010,56(6).
3《武汉大学学报(理学版)》征稿启事[J].武汉大学学报（理学版）,2008,54(5). 被引量：1
4武汉大学学报(理学版)2006年第1~6期总目次[J].武汉大学学报（理学版）,2006,52(6).
5武汉大学学报(理学版)2009年第1～6期总目次[J].武汉大学学报（理学版）,2009,55(6).
6《武汉大学学报（理学版）》征稿启事[J].武汉大学学报（理学版）,2008,54(4).
7《武汉大学学报(理学版)》征稿启事[J].武汉大学学报（理学版）,2008,54(1).
8《武汉大学学报(理学版)》2007年第1~6期总目次[J].武汉大学学报（理学版）,2007,53(6).
9《武汉大学学报(理学版)》征稿启事[J].武汉大学学报（理学版）,2008,54(6).
10《武汉大学学报(理学版)》2008年第1～6期总目次[J].武汉大学学报（理学版）,2008,54(6):763-772. 被引量：2

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