摘要
TN312.8 2002031620用微区光学方法研究GaP:ZnO红光外延片=Study ofGaP:ZnO LED epitaxial layers by microscopicaloptical method[刊,中]/高瑛,骆永石,高汉江(中科院长春光机所.吉林,长春(130021)),刘和初,曹炳初,汤建新(南昌746厂.江西,南昌(330012))//半导体技术.-2001,26(3).-59-61用微区光致发光和喇曼散射光谱比较了国内外GaP:ZnO红光二极管产品的结构,在国内首先实现了用微区光学方法检测LED外延片并进行生产工艺的改进。对典型样品进行了微区光致发光的测试,比较外延片横截面上不同厚度层的光致发光。
出处
《中国光学》
EI
CAS
2002年第3期4-4,共1页
Chinese Optics
