摘要
TN366 2002032109GaAs光电导探测器=GaAs photoconductor detectors[刊,中]/张乃罡,林理彬,甘荣兵(四川大学物理系.四川,成都(610064))//半导体技术.-2001,26(6).-37-39研究了一种双微带结构的GaAs光电导探测器的性能,测量了本征GaAs探测器和经过1.6MeV电子辐照的探测器的X脉冲响应,并对其响应时间,后沿下降时间,半高宽(FWHM)进行对比研究,结果显示经电子辐照后的探测器的性能得到了明显提高。图4表1参5(李瑞琴)
出处
《中国光学》
EI
CAS
2002年第3期71-72,共2页
Chinese Optics
