摘要
O472.3 2002043125GaN 基量子阱激子结合能和激子光跃迁强度=Exci-ton binding energy and exciton oscillator strengthof GaN-based quantum-well structure[刊,中]/顾海涛,熊贵光(武汉大学物理科学与技术学院.湖北,武汉(430072))∥半导体光电.—2001,22(3).—173-176采用变分法,计算了 GaN
出处
《中国光学》
EI
CAS
2002年第4期100-102,共3页
Chinese Optics
