摘要
TN312.8 2002064017隧道结 AlGaInP 发光二极管=Tunnel junction Al-GaInP light emitting diode[刊,英]/王国宏,沈光地,郭霞,高国(北京工业大学信息学院,北京光电子技术研究室.北京(100022),韦欣,张广泽,马晓宇,李玉璋,陈良惠(中科院半导体所.北京(100083))∥半导体学报.—2002,23(6).—628-631报道了通过隧道将衬底的导电类型从 n 型转变到
出处
《中国光学》
EI
CAS
2002年第6期3-4,共2页
Chinese Optics
