摘要
为解释负性胆甾相液晶在电场作用下织构交替变化现象，建立了新的物 理模型，对Ｈｕｒａｎｌｔ理论进行了修正，并用实验结果验证了修正公式。
A new Physical model is built for explaining texture's alternation in chovesteric liq- uid crystals. On the basis, Hurault's theory ismodified and the modified formula is examined by experiment.
出处
《哈尔滨商业大学学报（自然科学版）》
CAS
1999年第2期45-48,共4页
Journal of Harbin University of Commerce：Natural Sciences Edition
基金
哈尔滨市学科后备带头人基金
关键词
胆甾相液晶
织构
螺距数
chovsteric liquid crystal, texture, pitch number
