MOS隧道结的光发射

Light-emitting of MOS tunnel junction

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摘要介绍了一种新型的半导体电致发光器件并讨论了提高其发射效率所采取的措施 A new type semiconductor light-emitting device is introduced,and measures for improving its efficiency is also discussed.

作者陈斌徐重阳王长安周雪梅赵伯芳张少强曾祥斌邹雪城

机构地区华中理工大学电子科学与技术系

出处《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期178-181,共4页 Semiconductor Optoelectronics

关键词 MOS结构隧道结光发射表面等离子极化声子辐射方式 MOS structure,tunnel junction,light-emitting,surface plasma polariton,radiation mode

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学] TN201 [电子电信—物理电子学]

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