摘要
TN23 99053259GaN/6H—SiC紫外探测器的光电流性质研究=Photocurrentstudies of ultraviolet detector basedon GaN/6H—SiC[刊,中]/臧岚,杨凯,张荣,沈波,陈志忠,陈鹏,周玉刚,郑有炓(南京大学物理系.江苏,南京(210093))//半导体学报.—1998,19(3).—197—201研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在6H—SiC衬底上的GaN外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质。通过对其光电流谱的测量,获得了GaN探测器在紫外波段从250 μm～365 nm近于平坦的光电流响应曲线,并且观察到在～3.4 eV带附近陡峭的截止边,即当光波长在从365 nm变到375 nm的10
出处
《中国光学》
EI
CAS
1999年第5期70-70,共1页
Chinese Optics
