摘要
TN761 99021150InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器=InGaAs/InAlAs multiple quantum well electroabsorptionmodulators[刊,中]/王健华,金峰,俞谦,孙可,李德杰(清华大学电子工程系.北京(100084)),蔡丽红,黄绮,周钧铭(中科院物理所.北京(100080)),王玉田,庄岩(中科院北京半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(1).—43-48用国产MBE设备生长出与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InAlAs多量子阱材料,并对材料的量子限制stark效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行了研究.用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在2.4 V驱动电压下实现了20 dB以上消光比,光3 dB带宽达3 GHz。图4表1参6(方舟)
出处
《中国光学》
EI
CAS
1999年第2期67-67,共1页
Chinese Optics
