摘要
O484.5 98042588用Raman光谱分析MBE生长Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>膜的组分及应变=Raman spectral analysis on composition andstrain of Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub> films grown by MBE[刊,中]/陈培毅,王瑞忠,杨景铭,钱佩信（清华大学微电子学研究所.北京（100084））∥半导体技术.—1997,（5）.
出处
《中国光学》
EI
CAS
1998年第4期69-70,共2页
Chinese Optics
