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摘要 O484.1 98031877Si（Ⅲ）衬底上IBE法外延生长B—FeSi<sub>2</sub>薄膜的研究=Study of iron dissilicide（B—FeSi<sub>2</sub>）epitaxialthin films on Si（Ⅲ）substrafe by mass—ana-lyzed low—energy ion beam epitaxy[刊,中]/李慧,马辉,丁维清（北京师范大学分析测试中心.北京（100875））,秦复光（中科院半导体所.北京（100083））

出处《中国光学》 EI CAS 1998年第3期69-71,共3页 Chinese Optics

关键词金刚石薄膜金刚石膜薄膜形貌人工晶体外延生长扫描电镜激光技术衬底表面预处理化学汽相沉积分析测试中心

分类号 O484.1 [理学—固体物理]

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