摘要
O484 98021157退火处理对透明导电CdIn<sub>2</sub>O<sub>4</sub>薄膜光学、电学性质及其能带结构的影响=Effect of annealing treatmenton optical electrical properties and energystructure of transparent conductive CdIn<sub>2</sub>O<sub>4</sub>thin films[刊,中]/吴彬,王万录,廖克俊,张振刚（兰州大学物理系.甘肃,兰州（730000））∥半导体学报.-1997,18（2）.-151-155报道了射频反应溅射制备的CdIn<sub>2</sub>O<sub>4</sub>薄膜的光学、
出处
《中国光学》
EI
CAS
1998年第2期68-69,共2页
Chinese Optics
