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低电压激发荧光粉的饱和效应

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摘要 详细试验了在1000V激发能量下二种候选的绿色FED荧光粉Gd_2O_2∶Tb和SrGa_2S_4∶Eu的性能。在Gd_2O_2S∶Tb荧光粉中观察到了强的饱和效应,可解释为由于激活剂相对较少,而导致基态耗尽。用一种简单的两能级模型表明:通过分析在脉冲激发时间里发光的上升时间,可以观察到基态耗尽。比较了两种荧光粉效率和电流密度之间的关系。通过演示,可以得出结论,衰减时间快的荧光粉如SrGa_2S_4∶Eu(1/e=500us)在低电压下,基本上可实现100cd/m2的显示。
作者 乔希竹
出处 《光电子技术》 CAS 1997年第3期238-242,共5页 Optoelectronic Technology
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