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EPR Study of Radiation Damage in Si after High Energy Implantation of Ar Ions

EPR Study of Radiation Damage in Si after High Energy Implantation of Ar Ions
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摘要 EPRStudyofRadiationDamageinSiafterHighEnergyImplantationofArIons¥LiuChanglong;HouMingdong;WangZhiguang;ChengSong;SunYoumei;Zh...
出处 《IMP & HIRFL Annual Report》 1996年第1期82-82,共1页 中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报(英文版)
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