电力半导体器件市场及工艺的发展

介绍电力半导体器件1995年的市场情况以及器件的发展前景。双极晶体管、晶闸管、双向晶闸管、GTO等不会有发展,仅有某些改进。MOSFET和快速二极管只有今后采用新材料例如SiC时才可能有大的发展。IGBT、MCT、智能电力器件可望有显著的发展。最后,列举了制造电力集成器件的5种工艺应用概况。