摘要
文中主要讨论GaN背景载流子浓度和掺杂问题,以及GaN-based异质结构与器件应用,在结论中给出了进一步深入研究的几个主要问题。
The concentration of background carriers and dopping of GaN epilayer and the heterostructures and device applications are discussed. In the last summary, future prospects in need of research are discussed too.
出处
《应用基础与工程科学学报》
EI
CSCD
1995年第4期1-11,共11页
Journal of Basic Science and Engineering
基金
国家自然科学基金
关键词
掺杂
异质结构
蓝光发光管
dopping
hetrostructure blue-light LED
