摘要
为了提高开关电源的使用频率,实现小型化,高可靠性和低成本,必须将大量的高压功率器件和低压控制电路做在一个芯片上。最近,混合集成(HIC)和单片化的IPD方法正受到人们的重视,部分型号产品已批量生产。松下电子工业采用后一种方法,将MOSFET及其控制电路、保护电路做在一个基片上,开发出了开关电源用的IPD(MIP101,102,103,104),本文以"MIP101"为主,介绍其功能及特性。MIP101的构造和特征MIP101中各元件采用自分离方式,把新型结构的高耐压的MOSFET和BICMOS元件做在一个基片上,这种结构有如下特点:1.因为输出元件是N沟道的MOSFET,输入电容约为原来DMOS的1/10,适合于工作在高频段。2.功率MOS的栅一漏极间电容小,门限电压(V_TN)约1.5V,较低。因此,预推动级的峰值电流较小,有利于降低噪音。
